用平面霍尔传感器进行的维磁模拟纳米检测技术

用平面霍尔传感器进行的维磁模拟纳米检测技术(中文1700字,英文PDF)
1.    绪论
为了分析给出的样品的分子组成，微米或纳米等级的超级顺磁性的球或珠被绑定标记到生物大分子上，而磁性珠的的离散域被MR原理检测到。由确定的荧光检测理念比较来说，基于磁电阻的生物传感器有两个优点：（1）高灵敏度 （2）不存在后台磁信号。此外，磁共振传感器很容易被集成，所以在单一芯片上施行多路分析成为可能【5】。
最近，平面传感器基于各项异性磁电阻（ARM）的影响，已经成为了一个很好的候选人【7】【8】。因为平面霍尔传感器的方形几何形状，它为小珠检测采用了有效的表面。和阀值电压或者GMR传感器相比，一些目标标签将会安排在了一个无关紧要的区域。在本文中，为了纳米磁珠的检测，一种使用平面霍尔传感器和采用微磁的计算方法将会被呈现出来。根据已公布的实验结果，仿真的结果是一致的【7】。
2.    微磁模型
一个被用来磁珠检测的典型平面霍尔传感器有一个交换层、磁感应层、和钝化层，器件装置图如图1所示。平面霍尔传感器是基于AMR效应的。直流电适用于易磁化轴的感应层（ 方向），均匀的横向磁场 沿着y方向，