用铁或铜掺杂的硅特性

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资料介绍

用铁或铜掺杂的硅特性(中文5300字,英文pdf)
C. B. CoLLINs* AND R. O. CARLsON
Genera/ Electric Research Laboratory, Schenectady, Em Fork
(Received August 22, 1957)

1200摄氏度0.40电子伏下从价带中观察不管是在熔体中的晶体掺杂还是铁扩散，都能发现硅中的铁引入了深能级。这个能级的转换异于在室温下0.55电子伏下导带的能级。在70摄氏度到200摄氏度是可逆的；超过200摄氏度，铁的电活性便完全的消失了。没有证据表明铁的受体作用被发现。铁的电活性溶解度，在1200摄氏度是1.5×1016，，它比放射性示踪剂的溶解度要高，但是前者是在更迅速淬火的样品中测试出来的。分配系数是8×10-6。优惠的铁中心的电子俘获能通过光激发载流子的霍尔迁移率的测量显示出来。少子寿命可以通过光电导衰减法来显示一个更大的俘获截面的电子比空穴。
铜在0.24电子伏能引进一个深能级和一个0.49电子伏下的受主能级，都作为测量的从价带。对打的点活动在淬火样品为5×1014㎝的1200摄氏度。红外光电导谱支持定位铁和铜的深能级的位置。电活动生产水平明显缺乏或不一致的讨论可以与其他硅中的元素一起。从高温冷却后的沉淀被认为可以去掉大部分低于可溶性成分观察限制~1014㎝-3的解释。