用透射电子显微镜调查直拉单晶硅中的微缺陷
来源：wenku7.com 资料编号：WK79193 资料等级：★★★★★ %E8%B5%84%E6%96%99%E7%BC%96%E5%8F%B7%EF%BC%9AWK79193
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资料介绍
用透射电子显微镜调查直拉单晶硅中的微缺陷(中文4500字,英文pdf)
Jin Xua,b,∗, Weiqiang Wanga, Deren Yangb,∗∗, H.J. Moellerc
摘要：快速热退火对重﹑轻掺硼直拉单晶（CZ）硅中氧沉淀物和扩展缺陷的影响已经分别使用透射电子显微镜调查研究过。它揭示了，对于重掺杂的试样经过快速热退火处理后，氧沉淀物产生的密度高，伴随着堆垛层错，而对于没有快速热退火处理的试样，也产生了位错；至于轻掺杂的试样，它显示有一些经过了快速热退火处理的样品中也产生了位错。而未经过快速热退火处理的样品氧沉淀物也产生了相关的位错。主要原因是由于在快速热退火中重硼掺杂和空位浓度增量使样品中氧沉淀物增强。
关键词：快速热退火 透射电子显微镜 直拉单晶硅
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