通过硅掺杂提高InAs和GaAs量子点电池的光电转换效率
来源：wenku7.com 资料编号：WK79181 资料等级：★★★★★ %E8%B5%84%E6%96%99%E7%BC%96%E5%8F%B7%EF%BC%9AWK79181
以下是资料介绍,如需要完整的请充值下载。
1.无需注册登录,支付后按照提示操作即可获取该资料.
2.资料以网页介绍的为准,下载后不会有水印.资料仅供学习参考之用. 密 保 惠 帮助
资料介绍
通过硅掺杂提高InAs和GaAs量子点电池的光电转换效率(中文4300字+英文pdf)
摘要
本文主要探讨在电砷化镓量子点太阳能电池池中量子点增长的过程中直接掺杂硅量子点来显着提高工作效率的重要意义。这个设备包含五个堆叠在i地区的量子点是用分子束外延生长。它显示出使用适当的硅做的开路电压的设备可以提高到0.84 V.这是显着高于未掺杂的移动设备使用相同的结构中得到的值的0.67 V。此外，相应的移动设备的效率从11.3％提高至17.0％。这种效率的改进是由于大大降低能量损失的设备中的缺陷密度减少的结果，由于掺杂在堆叠的砷化铟/砷化镓量子点层中掺杂了硅的原因。
关键词：太阳能电池 中间波段 量子点 硅掺杂
内容：
1：介绍……
2：实验……
3：结果与讨论……
4：结论……
鸣谢……
参考引用文献
|
